小型化、片式化、高精度、低功耗成為一種趨向！

    晶振小型化進(jìn)程加速。由過(guò)去的 20 年中可以看出，晶振體積從約 150 立方毫米減少到約 0.75 立方毫米（如 1612 貼片晶振），降落至最初的 1/200。以手機(jī)藍(lán)牙模塊為例，手機(jī)藍(lán) 牙通常需求一顆高頻晶振及一顆工作頻率為 32.768KHZ 的低頻晶振。高頻晶振則由最初 的 5.0*3.2 逐步展開至 3.2*2.5 貼片晶振以及 2.5*2.0 貼片晶振；此外，32.768K 晶振由最 初的圓柱直插（音叉）晶振，到尺寸為 7.0*1.5mm 的貼片晶振（如精工電子的 SSP-T7-F、 愛(ài)普生 MC-146），再逐步展開至目前普遍運(yùn)用的封裝尺寸為 3.2*1.5mm 的產(chǎn)品（如大真 空 DST310、愛(ài)普生 FC-135），未來(lái)尺寸為 2.0*1.6mm 的貼片晶振（如愛(ài)普生 FC-12M）， 滲透率亦將逐步提升。

    晶振片式化率逐步進(jìn)步。SMD 封裝晶振具有尺寸小、易貼裝等特性，曾經(jīng)成為市場(chǎng)主流。 目前全球石英晶體元器件片式化率約為 70%，日本片式化率高達(dá) 80%以上;近年隨著國(guó)內(nèi) 企業(yè) SMD 晶振產(chǎn)能釋放，我國(guó)晶振片式化率也不時(shí)進(jìn)步。以攝像頭為例，運(yùn)用的晶振由 12MHz 的 49S 圓柱直插晶振，到 49SMD 貼片晶振，再到往常的 5032、3225 貼片晶振。

    晶振向高精度方向展開。石英材料制成的頻率器件均有一定溫漂，即晶振的振蕩頻率會(huì) 隨著環(huán)境溫度的變化發(fā)作微小的偏移。正是由于溫漂的存在，普通晶振的精度多為 10ppm-50ppm（ppm 代表著百萬(wàn)分之一，表示晶振的精度和相對(duì)傾向）。北斗 GPS 定位導(dǎo) 航系統(tǒng)、人造衛(wèi)星、無(wú)線基站等高科技范疇對(duì)穩(wěn)定性央求較高，需求配置高精度、功耗 低、哆嗦小的溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO），其獨(dú)有的溫度補(bǔ)償功用可將頻率傾向控制在± 0.5ppm 至±2ppm。此外，溫補(bǔ)晶振應(yīng)用在智能手機(jī)中，可以很好地處置手機(jī)發(fā)熱、爆炸， 以及在極端環(huán)境中惹起的跑電、關(guān)機(jī)等問(wèn)題。當(dāng)外界溫度變化時(shí)分，TCXO 可以穩(wěn)定地 將溫度控制在規(guī)則的范圍以內(nèi)。

    晶振低功耗成為一種趨向。許多溫控晶振和壓控晶振在 3.3V 電壓條件下，電流損耗僅為 1.5-10mA。例如愛(ài)普生公司的 VG-4231CB 壓控晶振，電流損耗僅為 1.6-2.8mA。晶振的 快速啟動(dòng)技術(shù)也取得突破性停頓。例如愛(ài)普生公司消費(fèi)的 TG-5006CJ 溫補(bǔ)晶振，在振蕩 啟動(dòng) 5ms 后則可抵達(dá)額定值的 90%。